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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.9 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 1 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 14 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.35 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1000 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.38 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBR2857 | MOTOROLA |
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Transistor |
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| MMBR2857LT1 | MOTOROLA |
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Transistor, |
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| MMBR4957LT1 | MOTOROLA |
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PNP Silicon High-Frequency Transistor |
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| MMBR4957LT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
PNP Silicon High-Frequency Transistor |
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| MMBR5031 | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
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| MMBR5031LT1 | MOTOROLA |
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NPN Silicon High-Frequency Transistor |
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| MMBR5031LT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| MMBR5179 | SAMSUNG |
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RF AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| MMBR5179 | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-23 |
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| MMBR5179LT1 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
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