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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> MMBFJ310LT1
MMBFJ310LT1 PDF预览

MMBFJ310LT1

更新时间： 2024-11-25 22:31:59
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 169K
描述
JFET VHF/UHF Amplifier Transistor

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MMBFJ310LT1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.13
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：25 V
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：2.5 pF
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.225 W最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MMBFJ310LT1 数据手册

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by MMBFJ309LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
N–Channel  
2 SOURCE  
3
GATE  
1 DRAIN  
3
1
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
V
V
25  
25  
10  
DS  
CASE 318–08, STYLE 10  
SOT–23 (TO–236AB)  
Gate–Source Voltage  
Vdc  
GS  
Gate Current  
I
G
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBFJ309LT1 = 6U; MMBFJ310LT1 = 6T  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Gate–Source Breakdown Voltage (I = –1.0 µAdc, V  
= 0)  
V
(BR)GSS  
–25  
—
—
Vdc  
G
DS  
Gate Reverse Current (V  
Gate Reverse Current (V  
= –15 Vdc)  
= –15 Vdc, T = 125°C)  
I
—
—
—
—
–1.0  
–1.0  
nAdc  
µAdc  
GS  
GS  
GSS  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
(V = 10 Vdc, I = 1.0 nAdc)  
MMBFJ309  
MMBFJ310  
V
–1.0  
–2.0  
—
—
–4.0  
–6.5  
Vdc  
GS(off)  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
MMBFJ309  
MMBFJ310  
I
12  
24  
—
—
30  
60  
mAdc  
Vdc  
DSS  
(V  
DS  
= 10 Vdc, V  
= 0)  
GS  
Gate–Source Forward Voltage (I = 1.0 mAdc, V  
G
= 0)  
V
—
—
1.0  
DS  
GS(f)  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Forward Transfer Admittance (V  
DS  
= 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 1.0 kHz)  
|Y  
|
8.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
10  
18  
250  
5.0  
2.5  
—
mmhos  
µmhos  
pF  
D
fs  
Output Admittance (V  
= 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 1.0 kHz)  
|y  
C
|
DS  
D
os  
Input Capacitance (V  
= –10 Vdc, V  
= 0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
GS  
DS  
= –10 Vdc, V  
iss  
rss  
Reverse Transfer Capacitance (V  
= 0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
DS  
C
pF  
GS  
Equivalent Short–Circuit Input Noise Voltage  
(V = 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 100 Hz)  
e
n
nV Hz  
DS  
1. FR–5 = 1.0  
D
0.75 0.062 in.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Motorola, Inc. 1997  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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