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MMBFJ310LT3

更新时间: 2024-11-26 14:38:19
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 145K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-236AB

MMBFJ310LT3 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.7
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:25 V
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):2.5 pF
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:0.225 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MMBFJ310LT3 数据手册

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