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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> MMBFJ309
MMBFJ309 PDF预览

MMBFJ309

更新时间： 2024-11-25 22:31:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 88K
描述
JFET VHF/UHF Amplifier Transistor

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MMBFJ309 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.54
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：25 V
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：2.5 pF
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MMBFJ309 数据手册

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ON Semiconductort  
JFET - VHF/UHF Amplifier  
Transistor  
N–Channel  
MMBFJ309LT1  
MMBFJ310LT1  
3
MAXIMUM RATINGS  
1
2
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
25  
Unit  
Vdc  
V
V
DS  
CASE 318–08, STYLE 10  
SOT–23 (TO–236AB)  
Gate–Source Voltage  
25  
Vdc  
GS  
Gate Current  
I
10  
mAdc  
G
2 SOURCE  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
3
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
GATE  
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
1 DRAIN  
qJA  
T , T  
–55 to +150  
J
stg  
MMBFJ309LT1 = 6U; MMBFJ310LT1 = 6T  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Gate–Source Breakdown Voltage (I = –1.0 µAdc, V  
= 0)  
V
(BR)GSS  
–25  
–
–
Vdc  
G
DS  
Gate Reverse Current (V  
Gate Reverse Current (V  
= –15 Vdc)  
= –15 Vdc, T = 125°C)  
I
–
–
–
–
–1.0  
–1.0  
nAdc  
µAdc  
GS  
GS  
GSS  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
(V = 10 Vdc, I = 1.0 nAdc)  
MMBFJ309  
MMBFJ310  
V
–1.0  
–2.0  
–
–
–4.0  
–6.5  
Vdc  
GS(off)  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
MMBFJ309  
MMBFJ310  
I
12  
24  
–
–
30  
60  
mAdc  
Vdc  
DSS  
(V  
DS  
= 10 Vdc, V  
= 0)  
GS  
Gate–Source Forward Voltage (I = 1.0 mAdc, V  
G
= 0)  
V
–
–
1.0  
DS  
GS(f)  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Forward Transfer Admittance (V  
= 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 1.0 kHz)  
|Y  
|
8.0  
–
–
–
18  
250  
5.0  
2.5  
–
mmhos  
µmhos  
pF  
DS  
D
fs  
Output Admittance (V  
= 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 1.0 kHz)  
|y  
|
DS  
D
os  
Input Capacitance (V  
= –10 Vdc, V  
= 0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
C
–
–
GS  
DS  
= –10 Vdc, V  
iss  
rss  
Reverse Transfer Capacitance (V  
GS  
= 0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
C
–
–
pF  
DS  
Equivalent Short–Circuit Input Noise Voltage  
(V = 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 100 Hz)  
e
–
10  
Ǹ
n
nVń Hz  
DS  
D
1. FR–5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
November, 2001 – Rev. 2  
MMBFJ309LT1/D  
12345678

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MMBFJ309 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBFU310LT1G ONSEMI

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MMBFJ310LT1G ONSEMI

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MMBFJ309D87Z FAIRCHILD

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MMBFJ309-HIGH TI

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 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AA
MMBFJ309L MOTOROLA

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