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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> MMBFJ309LT1
MMBFJ309LT1 PDF预览

MMBFJ309LT1

更新时间： 2024-11-25 22:26:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 169K
描述
JFET VHF/UHF Amplifier Transistor

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MMBFJ309LT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.76配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：25 VFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：2.5 pF最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：0.225 W
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBFJ309LT1 数据手册

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by MMBFJ309LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
N–Channel  
2 SOURCE  
3
GATE  
1 DRAIN  
3
1
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
V
V
25  
25  
10  
DS  
CASE 318–08, STYLE 10  
SOT–23 (TO–236AB)  
Gate–Source Voltage  
Vdc  
GS  
Gate Current  
I
G
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBFJ309LT1 = 6U; MMBFJ310LT1 = 6T  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Gate–Source Breakdown Voltage (I = –1.0 µAdc, V  
= 0)  
V
(BR)GSS  
–25  
—
—
Vdc  
G
DS  
Gate Reverse Current (V  
Gate Reverse Current (V  
= –15 Vdc)  
= –15 Vdc, T = 125°C)  
I
—
—
—
—
–1.0  
–1.0  
nAdc  
µAdc  
GS  
GS  
GSS  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
(V = 10 Vdc, I = 1.0 nAdc)  
MMBFJ309  
MMBFJ310  
V
–1.0  
–2.0  
—
—
–4.0  
–6.5  
Vdc  
GS(off)  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
MMBFJ309  
MMBFJ310  
I
12  
24  
—
—
30  
60  
mAdc  
Vdc  
DSS  
(V  
DS  
= 10 Vdc, V  
= 0)  
GS  
Gate–Source Forward Voltage (I = 1.0 mAdc, V  
G
= 0)  
V
—
—
1.0  
DS  
GS(f)  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Forward Transfer Admittance (V  
DS  
= 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 1.0 kHz)  
|Y  
|
8.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
10  
18  
250  
5.0  
2.5  
—
mmhos  
µmhos  
pF  
D
fs  
Output Admittance (V  
= 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 1.0 kHz)  
|y  
C
|
DS  
D
os  
Input Capacitance (V  
= –10 Vdc, V  
= 0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
GS  
DS  
= –10 Vdc, V  
iss  
rss  
Reverse Transfer Capacitance (V  
= 0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
DS  
C
pF  
GS  
Equivalent Short–Circuit Input Noise Voltage  
(V = 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 100 Hz)  
e
n
nV Hz  
DS  
1. FR–5 = 1.0  
D
0.75 0.062 in.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Motorola, Inc. 1997  
123456

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MMBFJ309LT1 替代型号

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