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MMBFJ310

更新时间： 2024-02-13 15:27:05

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强茂 - PANJIT		晶体放大器晶体管光电二极管 PC
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3页	51K
描述
J-FET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER TRANSISTOR

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MMBFJ310 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
FET 技术：	JUNCTION	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

MMBFJ310 数据手册

MMBFJ309 / MMBFJ310

J-FET HIGH FREQUENCY

AMPLIFIER TRANSISTOR

N-CHANNEL

For VHF/UHF Applications

SOT-23

DEVICE MARKING

MMBFJ309 = B9J; MMBFJ310 = B1J

Note: Drain and Source are

interchangeable.

ELECTRICAL RATINGS

Rating

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Gate Current

Units

Symbol

Value

mAdc

THERMAL RATINGS

Units

Rating

Power Dissipation (Note 1)

Symbol

Value

225

°C/W

°C

Thermal Resistance - Junction to Ambient (Note 1)

Operating Temperature Range

556

-55 to +150

Storage Temperature Range

°C

stg

Note 1: Device mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in. with recommended minimum pad layout

9/19/2005

Page

www.panjit.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MMBFJ310D87Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
MMBFJ310-HIGH	TI	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AA
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