5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MMBFJ271
MMBFJ271 PDF预览

MMBFJ271

更新时间： 2024-02-01 00:27:26
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 196K
描述
P-Channel Switch

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMBFJ271 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.65配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTIONJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBFJ271 数据手册

 浏览型号MMBFJ271的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBFJ271的Datasheet PDF文件第3页 
June 2006  
MMBFJ271  
tm  
P-Channel Switch  
Features  
•
This device is designed for low level analog switching sample and hold  
circuits and chopper stabilized amplifiers.  
G
•
Sourced from process 88.  
S
D
SOT-23  
Mark : 62T  
Absolute Maximum Ratings *  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-30  
Units  
V
VDG  
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
VGS  
30  
V
IGF  
50  
mA  
°C  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ 150  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.  
- These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
556  
°C/W  
Note2 : Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
MIN  
MAX  
Units  
Off Characteristics (Note3)  
V(BR)GSS  
IGSS  
Gate-Source Breakdwon Voltage  
Gate Reverse Current  
IG = 1.0µA, VDS = 0  
30  
V
pA  
V
VGS = 20V, VDS = 0  
200  
4.5  
VGS(off)  
Gate-Source Cutoff Voltage  
VDS = -15V, ID = -1.0nA  
1.5  
On Characteristics (Note3)  
IDSS  
gfs  
Zero-Gate Voltage Drain Current * VDS = -15V, VGS = 0  
-6.0  
-50  
18000  
500  
mA  
Forward Transferconductance  
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1.0kHz  
8000  
µmhos  
µmhos  
goss  
Common- Source Output Conduc- VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1.0kHz  
tance  
Note3 : Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
MMBFJ271 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
123

中文翻译

下载PDF

与MMBFJ271相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBFJ304 FAIRCHILD

获取价格

 		SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers
MMBFJ305 FAIRCHILD

获取价格

 		SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers
MMBFJ305 ONSEMI

获取价格

 		N沟道RF放大器
MMBFJ305_11 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel RF Amplifier
MMBFJ309 PANJIT

获取价格

 		J-FET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER TRANSISTOR
MMBFJ309 TI

获取价格

 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBFJ309 FAIRCHILD

获取价格

 		SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers
MMBFJ309 ONSEMI

获取价格

 		JFET VHF/UHF Amplifier Transistor
MMBFJ309_10 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel RF Amplifier
MMBFJ309D87Z FAIRCHILD

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-

与MMBFJ271相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证