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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MMBFJ271
MMBFJ271 PDF预览

MMBFJ271

更新时间： 2024-11-26 04:14:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 196K
描述
P-Channel Switch

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MMBFJ271 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.35
Is Samacsys：N配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTIONJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBFJ271 数据手册

 浏览型号MMBFJ271的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBFJ271的Datasheet PDF文件第3页 
June 2006  
MMBFJ271  
tm  
P-Channel Switch  
Features  
•
This device is designed for low level analog switching sample and hold  
circuits and chopper stabilized amplifiers.  
G
•
Sourced from process 88.  
S
D
SOT-23  
Mark : 62T  
Absolute Maximum Ratings *  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-30  
Units  
V
VDG  
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
VGS  
30  
V
IGF  
50  
mA  
°C  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ 150  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.  
- These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
556  
°C/W  
Note2 : Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
MIN  
MAX  
Units  
Off Characteristics (Note3)  
V(BR)GSS  
IGSS  
Gate-Source Breakdwon Voltage  
Gate Reverse Current  
IG = 1.0µA, VDS = 0  
30  
V
pA  
V
VGS = 20V, VDS = 0  
200  
4.5  
VGS(off)  
Gate-Source Cutoff Voltage  
VDS = -15V, ID = -1.0nA  
1.5  
On Characteristics (Note3)  
IDSS  
gfs  
Zero-Gate Voltage Drain Current * VDS = -15V, VGS = 0  
-6.0  
-50  
18000  
500  
mA  
Forward Transferconductance  
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1.0kHz  
8000  
µmhos  
µmhos  
goss  
Common- Source Output Conduc- VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1.0kHz  
tance  
Note3 : Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
MMBFJ271 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
123

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