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PMBFJ175,215

更新时间: 2024-11-26 15:48:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 60K
描述
P-channel FET TO-236 3-Pin

PMBFJ175,215 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-236包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:7.95配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏源导通电阻:125 Ω
FET 技术:JUNCTIONJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PMBFJ175,215 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMBFJ174 to 177  
P-channel silicon field-effect  
transistors  
Product specification  
April 1995  

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