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PMBFJ174,215

更新时间: 2024-11-26 15:48:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 60K
描述
P-channel FET TO-236 3-Pin

PMBFJ174,215 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-236包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.36Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏源导通电阻:85 ΩFET 技术:JUNCTION
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.3 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Small Signal
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PMBFJ174,215 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMBFJ174 to 177  
P-channel silicon field-effect  
transistors  
Product specification  
April 1995  

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