5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJE3439
MJE3439 PDF预览

MJE3439

更新时间： 2024-11-20 22:33:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 103K
描述
0.3 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 350 VOLTS 15 WATTS

阅读下载

中文翻译

获取价格

MJE3439 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.22
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.3 A
基于收集器的最大容量：10 pF集电极-发射极最大电压：350 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-225AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：15 W最大功率耗散 (Abs)：15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：15 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

MJE3439 数据手册

 浏览型号MJE3439的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJE3439的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJE3439的Datasheet PDF文件第4页 
Order this document  
by MJE3439/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
0.3 AMPERE  
POWER TRANSISTOR  
NPN SILICON  
350 VOLTS  
. . . designed for use in line–operated equipment requiring high f .  
T
•
•
•
High DC Current Gain  
= 40–160 @ I = 20 mAdc  
15 WATTS  
h
FE  
Current Gain Bandwidth Product —  
= 15 MHz (Min) @ I = 10 mAdc  
C
f
T
C
Low Output Capacitance  
= 10 pF (Max) @ f = 1.0 MHz  
C
ob  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
350  
450  
5.0  
Unit  
Vdc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
Base Current  
V
CEO  
CASE 77–08  
TO–225AA TYPE  
V
CB  
Vdc  
V
EB  
Vdc  
I
C
0.3  
Adc  
I
B
150  
mAdc  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
15  
0.12  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
8.33  
C/W  
JC  
16  
14  
12  
10  
8.0  
6.0  
4.0  
2.0  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
T
, CASE TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 1. Power–Temperature Derating Curve  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
1234

中文翻译

下载PDF

MJE3439 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJE3439 CENTRAL

功能相似

 350V,300mA,15W Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
MJE3439G ONSEMI

功能相似

 NPN Silicon High−Voltage Power Transistor

与MJE3439相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJE3439G ONSEMI

获取价格

 		NPN Silicon High−Voltage Power Transistor
MJE3439LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
MJE344 MOTOROLA

获取价格

 		0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 150-200 VOLTS 20 WATTS
MJE344 ONSEMI

获取价格

 		POWER TRANSISTORS NPN SILICON
MJE344 CENTRAL

获取价格

 		200V,500mA,20W Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
MJE344 NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 3-Pin TO-126
MJE344_06 ONSEMI

获取价格

 		Plastic NPN Silicon Medium?Power Transistor
MJE3440 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		SILICON NPN TRANSISTOR
MJE3440 CENTRAL

获取价格

 		250V,300mA,15W Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
MJE3440 NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 250V 0.3A 3-Pin(3+Tab) SOT-32

与MJE3439相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证