MJE3440

更新时间： 2024-10-31 22:46:15

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
SILICON NPN TRANSISTOR

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MJE3440 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SIP	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	基于收集器的最大容量：	10 pF
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	15 W
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

MJE3440 数据手册

MJE3440

SILICON NPN TRANSISTOR

■

SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE

NPN TRANSISTOR

DESCRIPTION

The MJE3440 is a NPN silicon epitaxial planar

transistors in SOT-32 plastic package. It is

designed for use in consumer and industrial

line-operated applications.

SOT-32

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

Unit

350

250

0.3

I_B

0.15

Base Current

Total Power Dissipation at Tcase ≤ 25 ^oC

P_tot

^oC

T_stg

T_j

-65 to +150

150

Storage Temperature

Max. Operating Junction Temperature

1/5

June 1997

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJE3440LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast
MJE344G	ONSEMI	获取价格	Plastic NPN Silicon Medium?Power Transistor
MJE350	MOTOROLA	获取价格	0.5 AMPERE POWER TRANSISTOR PNP SILICON 300 VOLTS 20 WATTS
MJE350	ONSEMI	获取价格	POWER TRANSISTOR PNP SILICON
MJE350	FAIRCHILD	获取价格	High Voltage General Purpose Applications
MJE350	STMICROELECTRONICS	获取价格	COMPLEMETARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJE350	TRSYS	获取价格	PNP EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR
MJE350	CENTRAL	获取价格	300V,500mA,20.8W Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage
MJE350	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin TO-126
MJE350	FOSHAN	获取价格	TO-126F