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MJE371

更新时间： 2024-11-01 22:46:15
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
4 AMPERE POWER TRANSISTOR PNP SILICON 40 VOLTS 40 WATTS

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MJE371 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.18
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-225AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：40 W
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MJE371 数据手册

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by MJE371/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
4 AMPERE  
POWER TRANSISTOR  
PNP SILICON  
40 VOLTS  
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching circuits. Recom-  
mended for use in 5 to 20 Watt audio amplifiers utilizing complementary symmetry  
circuitry.  
40 WATTS  
•
•
DC Current Gain — h = 40 (Min) @ I = 1.0 Adc  
FE C  
MJE371 is Complementary to NPN MJE521  
CASE 77–08  
TO–225AA TYPE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CB  
40  
V
EB  
4.0  
Collector Current — Continuous  
— Peak  
I
C
4.0  
8.0  
Base Current — Continuous  
I
B
2.0  
Adc  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
40  
320  
Watts  
mW/ C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
3.12  
C/W  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
V
40  
—
—
—
Vdc  
µAdc  
µAdc  
CEO(sus)  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Base Cutoff Current  
(V = 40 Vdc, I = 0)  
I
100  
100  
CBO  
CB  
Emitter–Base Cutoff Current  
(V = 4.0 Vdc, I = 0)  
E
I
EBO  
EB  
C
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (1)  
(I = 1.0 Adc, V  
C CE  
h
FE  
40  
—
—
= 1.0 Vdc)  
(1) Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
2.0%.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1995
1234

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