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MJE350

更新时间： 2024-10-31 22:46:15

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管开关局域网
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5页	69K
描述
COMPLEMETARY SILICON POWER TRANSISTORS

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MJE350 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SIP	包装说明：	TO-126, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.81
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	20.8 W	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MJE350 数据手册

MJE340

MJE350

COMPLEMETARY SILICON POWER TRANSISTORS

■

SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES

COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES

APPLICATIONS

■

LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL

EQUIPMENT

DESCRIPTION

The MJE340 is a silicon epitaxial planar NPN

transistor intended for use in medium power

linear and switching applications.It is mounted in

SOT-32.

The complementary PNP type is MJE350.

SOT-32

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

MJE340

MJE350

300

Unit

NPN

PNP

Unit

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (IC = 0)

Collector Current

0.5

P_tot

T_stg

T_j

Total Power Dissipation at T_case≤ 25 ^oC

20.8

Storage Temperature

-65 to 150

150

^oC

Max Operating Junction Temperature

For PNP types voltage and current values are negative.

1/5

June 1997

12 3 4 5

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MJE350 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MJE350STU	ONSEMI	功能相似	0.5 A, 300 V PNP Bipolar Power Transistor
MJE350G	ONSEMI	功能相似	Plastic Medium Power PNP Silicon Transistor

与MJE350相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJE350G	ONSEMI	获取价格	Plastic Medium Power PNP Silicon Transistor
MJE350STU	ONSEMI	获取价格	0.5 A, 300 V PNP Bipolar Power Transistor
MJE370	CENTRAL	获取价格	SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS
MJE370	NJSEMI	获取价格	BJT
MJE370LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE371	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
MJE371	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Power Transistor
MJE371	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE371	MOTOROLA	获取价格	4 AMPERE POWER TRANSISTOR PNP SILICON 40 VOLTS 40 WATTS
MJE371	ONSEMI	获取价格	POWER TRANSISTOR PNP SILICON