5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJE4343G
MJE4343G PDF预览

MJE4343G

更新时间： 2024-11-02 12:33:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
8页 138K
描述
High-Voltage - High Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

MJE4343G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-218包装说明：CASE 340D-02, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.41外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：16 A集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：8
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：125 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1 MHz
Base Number Matches：1

MJE4343G 数据手册

 浏览型号MJE4343G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJE4343G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJE4343G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MJE4343G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MJE4343G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MJE4343G的Datasheet PDF文件第7页 
MJE4343 (NPN),  
MJE4353 (PNP)  
High-Voltage - High Power  
Transistors  
. . . designed for use in high power audio amplifier applications and  
high voltage switching regulator circuits.  
http://onsemi.com  
Features  
16 AMPS  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
• High Collector−Emitter Sustaining Voltage −  
NPN PNP  
= 160 Vdc − MJE4343 MJE4353  
V
CEO(sus)  
• High DC Current Gain − @ I = 8.0 Adc h = 35 (Typ)  
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −  
C
FE  
160 VOLTS  
V
CE(sat)  
= 2.0 Vdc (Max) @ I  
= 8.0 Adc  
C
4
• These are Pb−Free Devices  
SOT−93  
CASE 340D  
STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Max  
160  
160  
7.0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO  
1
V
CB  
EB  
2
3
V
Collector Current  
−
I
C
TO−247  
CASE 340L  
STYLE 3  
Continuous  
16  
20  
Peak (Note 1)  
Base Current − Continuous  
I
B
5.0  
Adc  
Total Power Dissipation @ T  
P
D
125  
Watts  
C
= 25°C  
Operating and Storage Junc-  
tion  
T , T  
–65 to +150  
°C  
J
stg  
NOTE: Effective June 2012 this device will  
be available only in the TO−247  
Temperature Range  
package. Reference FPCN# 16827.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction  
to Case  
R
1.0  
°C/W  
q
JC  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
1. Pulse Test: Pulse Width v 5.0 ms, Duty Cycle w 10%.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
May, 2012 − Rev. 5  
MJE4343/D  
 
12345678

中文翻译

下载PDF

MJE4343G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE2305 NTE

类似代替

 Silicon Complementary Transistors High Voltage Power Amplifier
2SC3284 SANKEN

功能相似

 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)
MJE4343 ONSEMI

功能相似

 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

与MJE4343G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJE4350 ISC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
MJE4350 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
MJE4350 MOSPEC

获取价格

 		POWER TRANSISTORS(16A,100-160V,125W)
MJE4351 MOSPEC

获取价格

 		POWER TRANSISTORS(16A,100-160V,125W)
MJE4351 ISC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
MJE4351 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
MJE4352 ISC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
MJE4352 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
MJE4352 MOTOROLA

获取价格

 		16 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 140-160 VOLTS
MJE4352 MOSPEC

获取价格

 		POWER TRANSISTORS(16A,100-160V,125W)

与MJE4343G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证