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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | TO-218 | 包装说明： | CASE 340D-02, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.28 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 16 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 160 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | JEDEC-95代码： | TO-218 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MJE4343G | ONSEMI |
功能相似  |
High-Voltage - High Power Transistors |
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| NTE2305 | NTE |
功能相似 |
Silicon Complementary Transistors High Voltage Power Amplifier |
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| 2SC3284 | SANKEN |
功能相似 |
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE4343_06 | ONSEMI |
获取价格 |
High?Voltage High Power Transistors |
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| MJE4343G | ONSEMI |
获取价格 |
High-Voltage - High Power Transistors |
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| MJE4350 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| MJE4350 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| MJE4350 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(16A,100-160V,125W) |
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| MJE4351 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(16A,100-160V,125W) |
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| MJE4351 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| MJE4351 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| MJE4352 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| MJE4352 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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