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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE350G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium Power PNP Silicon Transistor |
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| MJE350STU | ONSEMI |
获取价格 |
0.5 A, 300 V PNP Bipolar Power Transistor |
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| MJE370 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS |
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| MJE370 | NJSEMI |
获取价格 |
BJT |
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| MJE370LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| MJE371 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| MJE371 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Power Transistor |
|
| MJE371 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| MJE371 | MOTOROLA |
获取价格 |
4 AMPERE POWER TRANSISTOR PNP SILICON 40 VOLTS 40 WATTS |
|
| MJE371 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR PNP SILICON |
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