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MJE350

更新时间： 2024-11-20 22:46:15

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管开关局域网
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4页	40K
描述
High Voltage General Purpose Applications

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MJE350 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.15	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MJE350 数据手册

MJE350

High Voltage General Purpose Applications

•

High Collector-Emitter Breakdown Voltage

Suitable for Transformer

Complement to MJE340

TO-126

1. Emitter 2.Collector 3.Base

..PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

- 300

- 5

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

CBO

CEO

EBO

- 500

°C

Collector Dissipation (T =25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

150

- 65 ~ 150

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

Test Condition

Min.

Max. Units

= - 1mA, I = 0

-300

CEO

CBO

= - 300V, I = 0

-100

240

µA

= - 3V, I = 0

EBO

= - 10V, I = - 50mA

Rev. A1, February 2001

12 3 4

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MJE350 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MJE350G	ONSEMI	功能相似	Plastic Medium Power PNP Silicon Transistor

与MJE350相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJE350G	ONSEMI	获取价格	Plastic Medium Power PNP Silicon Transistor
MJE350STU	ONSEMI	获取价格	0.5 A, 300 V PNP Bipolar Power Transistor
MJE370	CENTRAL	获取价格	SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS
MJE370	NJSEMI	获取价格	BJT
MJE370LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE371	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
MJE371	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Power Transistor
MJE371	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE371	MOTOROLA	获取价格	4 AMPERE POWER TRANSISTOR PNP SILICON 40 VOLTS 40 WATTS
MJE371	ONSEMI	获取价格	POWER TRANSISTOR PNP SILICON