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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.2 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE344_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic NPN Silicon Medium?Power Transistor |
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| MJE3440 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON NPN TRANSISTOR |
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| MJE3440 | CENTRAL |
获取价格 |
250V,300mA,15W Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage |
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| MJE3440 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 250V 0.3A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 |
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| MJE3440LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| MJE344G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic NPN Silicon Medium?Power Transistor |
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| MJE350 | MOTOROLA |
获取价格 |
0.5 AMPERE POWER TRANSISTOR PNP SILICON 300 VOLTS 20 WATTS |
|
| MJE350 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR PNP SILICON |
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| MJE350 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage General Purpose Applications |
|
| MJE350 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMETARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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