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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 250 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE3440LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| MJE344G | ONSEMI |
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Plastic NPN Silicon Medium?Power Transistor |
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| MJE350 | MOTOROLA |
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0.5 AMPERE POWER TRANSISTOR PNP SILICON 300 VOLTS 20 WATTS |
|
| MJE350 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR PNP SILICON |
|
| MJE350 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage General Purpose Applications |
|
| MJE350 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMETARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| MJE350 | TRSYS |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| MJE350 | CENTRAL |
获取价格 |
300V,500mA,20.8W Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage |
|
| MJE350 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin TO-126 |
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| MJE350 | FOSHAN |
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TO-126F |
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