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MJE3440

更新时间： 2024-11-02 14:53:47
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17页 197K
描述
250V,300mA,15W Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage

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MJE3440 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.3Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：250 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHzBase Number Matches：1

MJE3440 数据手册

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Power Transistors  
TO-126 Case (Continued)  
Top View  
Bottom View  
TYPE NO.  
I
P
(W)  
BV  
(V)  
BV  
(V)  
h
@ I  
(mA)  
V
@ I  
(A)  
f
T
(MHz)  
C
D
CBO  
CEO  
FE  
C
CE(SAT)  
(V)  
C
(A)  
NPN  
PNP  
MAX  
3.0  
3.0  
3.0  
5.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
0.5  
0.5  
0.5  
3.0  
4.0  
1.5  
1.5  
1.5  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
0.3  
0.3  
MIN  
60  
MIN  
40  
MIN MAX  
MAX  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
- -  
MIN  
50  
50  
50  
65  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
40  
40  
40  
40  
40  
- -  
MJE180  
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MJE340  
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MJE344  
MJE520  
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MJE720  
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MJE800  
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MJE3439  
MJE3440  
MJE170  
MJE171  
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MJE210  
MJE230  
MJE231  
MJE232  
MJE233  
MJE234  
MJE235  
MJE250  
MJE251  
MJE252  
MJE253  
MJE254  
MJE350  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
20  
20  
20  
25  
40  
20  
20  
20  
40  
40  
40  
40  
15  
15  
50  
50  
50  
45  
40  
40  
25  
40  
40  
25  
40  
40  
25  
40  
25  
30  
25  
30  
25  
40  
40  
40  
40  
750  
750  
750  
750  
50  
50  
250  
250  
250  
180  
200  
150  
- -  
100  
100  
100  
2,000  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
50  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
- -  
80  
60  
100  
40  
80  
25  
60  
40  
60  
40  
60  
40  
80  
60  
200  
150  
- -  
80  
60  
80  
60  
80  
80  
200  
120  
- -  
80  
80  
80  
80  
100  
100  
300  
175  
200  
30  
100  
100  
300  
150  
200  
30  
120  
- -  
240  
200  
300  
- -  
50  
2.3  
1.0  
- -  
0.15  
0.05  
- -  
15  
15  
- -  
50  
MJE370  
MJE371  
MJE710  
MJE711  
MJE712  
MJE700  
MJE701  
MJE702  
MJE703  
1,000  
1,000  
150  
150  
150  
1,500  
2,000  
1,500  
2,000  
20  
40  
40  
- -  
- -  
- -  
- -  
40  
40  
- -  
1.0  
1.0  
1.0  
2.5  
2.8  
2.5  
2.8  
0.5  
0.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
2.0  
1.5  
2.0  
0.1  
0.1  
- -  
60  
60  
- -  
- -  
80  
80  
- -  
- -  
60  
60  
- -  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
15  
15  
60  
60  
- -  
80  
80  
- -  
80  
80  
- -  
450  
350  
350  
250  
200  
200  
20  
Shaded areas indicate Darlington.  
(6-December 2004)  
www.centralsemi.com  
1234567...17

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与MJE3440相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJE3440LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast
MJE344G ONSEMI

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 		Plastic NPN Silicon Medium?Power Transistor
MJE350 MOTOROLA

获取价格

 		0.5 AMPERE POWER TRANSISTOR PNP SILICON 300 VOLTS 20 WATTS
MJE350 ONSEMI

获取价格

 		POWER TRANSISTOR PNP SILICON
MJE350 FAIRCHILD

获取价格

 		High Voltage General Purpose Applications
MJE350 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMETARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJE350 TRSYS

获取价格

 		PNP EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR
MJE350 CENTRAL

获取价格

 		300V,500mA,20.8W Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage
MJE350 NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin TO-126
MJE350 FOSHAN

获取价格

 		TO-126F

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