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MJE340

更新时间： 2024-11-03 22:30:15
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
High Voltage General Purpose Applications

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MJE340 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.14外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MJE340 数据手册

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MJE340  
High Voltage General Purpose Applications  
•
•
•
High Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Suitable for Transformer  
Complement to MJE350  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
300  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
300  
V
5
V
I
500  
mA  
W
°C  
°C  
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
20  
C
C
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
T
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Max. Units  
BV  
I
= 1mA, I = 0  
300  
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
V
= 300V, I =0  
100  
100  
240  
µA  
µA  
CB  
BE  
CE  
E
= 3V, I = 0  
C
h
= 10V, I = 50mA  
30  
FE  
C
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, February 2001  
1234

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MJE340 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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