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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.26 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 基于收集器的最大容量： | 15 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| VCEsat-Max： | 2.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE341LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| MJE3439 | MOTOROLA |
获取价格 |
0.3 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 350 VOLTS 15 WATTS |
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| MJE3439 | ONSEMI |
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POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
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| MJE3439 | CENTRAL |
获取价格 |
350V,300mA,15W Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage |
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| MJE3439 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 3-Pin TO-225 Bulk |
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| MJE3439G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN Silicon High−Voltage Power Transistor |
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| MJE3439LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MJE344 | MOTOROLA |
获取价格 |
0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 150-200 VOLTS 20 WATTS |
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| MJE344 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
|
| MJE344 | CENTRAL |
获取价格 |
200V,500mA,20W Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage |
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