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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD44H11
MJD44H11 PDF预览

MJD44H11

更新时间： 2024-09-12 22:15:19
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 195K
描述
SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS

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MJD44H11 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.09外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：20 W
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
最大关闭时间（toff）：640 nsVCEsat-Max：1 V
Base Number Matches：1

MJD44H11 数据手册

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by MJD44H11/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
DPAK For Surface Mount Applications  
*Motorola Preferred Device  
. . . for general purpose power and switching such as output or driver stages in  
applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
8 AMPERES  
•
•
•
•
•
•
•
Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves (No Suffix)  
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)  
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount (“T4” Suffix)  
Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series  
80 VOLTS  
20 WATTS  
Low Collector Emitter Saturation Voltage — V  
Fast Switching Speeds  
= 1.0 Volt Max @ 8.0 Amperes  
CE(sat)  
Complementary Pairs Simplifies Designs  
MAXIMUM RATINGS  
CASE 369A–13  
Rating  
Symbol  
D44H11 or D45H11  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
80  
5
V
EB  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
8
16  
Total Power Dissipation  
P
D
CASE 369–07  
@ T = 25 C  
20  
0.16  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Total Power Dissipation (1)  
P
D
@ T = 25 C  
1.75  
0.014  
Watts  
W/ C  
A
MINIMUM PAD SIZES  
RECOMMENDED FOR  
SURFACE MOUNTED  
APPLICATIONS  
Derate above 25 C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
6.25  
71.4  
260  
Unit  
C/W  
C/W  
C
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (1)  
Lead Temperature for Soldering  
R
R
θJC  
θJA  
T
L
(1) These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad size recommended.  
inches  
mm  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1995
123456

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MJD44H11 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJD44H11TM FAIRCHILD

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 Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/
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