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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD210-I
MJD210-I PDF预览

MJD210-I

更新时间： 2024-09-13 03:45:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 49K
描述
D-PAK for Surface Mount Applications

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MJD210-I 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：12.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：65 MHz
Base Number Matches：1

MJD210-I 数据手册

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MJD210  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
•
High DC Current Gain  
Low Collector Emitter Saturation Voltage  
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “ - I “ Suffix)  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
- 40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
CBO  
CEO  
EBO  
- 25  
V
- 8  
V
I
I
I
- 5  
A
C
Collector Peck Current (Pulse)  
Base Current  
- 10  
A
CP  
B
- 1  
A
P
Collector Dissipation (T = 25°C)  
12.5  
1.4  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T = 25°C)  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
I
= - 10mA, I = 0  
-25  
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
= - 40V, I = 0  
-100  
-100  
nA  
nA  
CB  
E
= - 8V, I = 0  
EBO  
C
h
* DC Current Gain  
V
V
V
= - 1V, I = - 500mA  
70  
45  
10  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= - 1V, I = - 2A  
180  
C
= - 2V, I = - 5A  
C
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
I
= - 500mA, I = - 50mA  
-0.3  
-0.75  
-1.8  
V
V
V
CE  
C
C
C
B
= - 2A, I = - 200mA  
B
= - 5A, I = - 1A  
B
V
V
(sat)  
(on)  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I
= - 5A, I = - 1A  
-2.5  
-1.6  
V
V
BE  
BE  
C
B
V
= - 1V, I = - 2A  
C
CE  
CE  
f
V
= - 10V, I = - 100mA  
65  
MHz  
pF  
T
C
C
V
= - 10V, I = 0, f = 0.1MHz  
120  
ob  
CB  
E
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, June 2001  
12345

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