5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD210-I
MJD210-I PDF预览

MJD210-I

更新时间： 2024-11-24 03:45:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 49K
描述
D-PAK for Surface Mount Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

MJD210-I 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：12.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：65 MHz
Base Number Matches：1

MJD210-I 数据手册

 浏览型号MJD210-I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJD210-I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJD210-I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MJD210-I的Datasheet PDF文件第5页 
MJD210  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
•
High DC Current Gain  
Low Collector Emitter Saturation Voltage  
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “ - I “ Suffix)  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
- 40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
CBO  
CEO  
EBO  
- 25  
V
- 8  
V
I
I
I
- 5  
A
C
Collector Peck Current (Pulse)  
Base Current  
- 10  
A
CP  
B
- 1  
A
P
Collector Dissipation (T = 25°C)  
12.5  
1.4  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T = 25°C)  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
I
= - 10mA, I = 0  
-25  
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
= - 40V, I = 0  
-100  
-100  
nA  
nA  
CB  
E
= - 8V, I = 0  
EBO  
C
h
* DC Current Gain  
V
V
V
= - 1V, I = - 500mA  
70  
45  
10  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= - 1V, I = - 2A  
180  
C
= - 2V, I = - 5A  
C
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
I
= - 500mA, I = - 50mA  
-0.3  
-0.75  
-1.8  
V
V
V
CE  
C
C
C
B
= - 2A, I = - 200mA  
B
= - 5A, I = - 1A  
B
V
V
(sat)  
(on)  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I
= - 5A, I = - 1A  
-2.5  
-1.6  
V
V
BE  
BE  
C
B
V
= - 1V, I = - 2A  
C
CE  
CE  
f
V
= - 10V, I = - 100mA  
65  
MHz  
pF  
T
C
C
V
= - 10V, I = 0, f = 0.1MHz  
120  
ob  
CB  
E
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, June 2001  
12345

中文翻译

下载PDF

与MJD210-I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJD210L-TM3-T UTC

获取价格

 		PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
MJD210L-TN3-R UTC

获取价格

 		PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
MJD210L-TN3-T UTC

获取价格

 		PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
MJD210R SWST

获取价格

 		功率三极管
MJD210RL ONSEMI

获取价格

 		Complementary Plastic Power Transistors
MJD210RLG ONSEMI

获取价格

 		Complementary Plastic Power Transistors
MJD210T4 ONSEMI

获取价格

 		Complementary Plastic Power Transistors
MJD210T4 MOTOROLA

获取价格

 		SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
MJD210T4G ONSEMI

获取价格

 		Complementary Plastic Power Transistors
MJD210TF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/

与MJD210-I相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证