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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.23 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 12.5 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD253-1G | ONSEMI |
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Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications |
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| MJD253T4 | ONSEMI |
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Complementary Silicon Plastic Power Transistor |
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| MJD253T4 | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| MJD253T4G | ONSEMI |
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Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications |
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| MJD2873 | NEXPERIA |
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50 V, 2 A NPN high power bipolar transistorProduction |
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| MJD2873Q | DIODES |
获取价格 |
NPN, 50V, 2A, TO252 |
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| MJD2873-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 2 A NPN high power bipolar transistorProduction |
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| MJD29 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
|
| MJD2955 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS |
|
| MJD2955 | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
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