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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD243T4
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MJD243T4

更新时间： 2024-10-31 22:33:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 128K
描述
Complementary Silicon Plastic Power Transistor

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MJD243T4 技术参数

是否无铅：含铅生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75Factory Lead Time：1 week
风险等级：6.87Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：13 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：40 MHzBase Number Matches：1

MJD243T4 数据手册

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MJD243 (NPN),  
MJD253 (PNP)  
Preferred Device  
Complementary Silicon  
Plastic Power Transistor  
DPAK−3 for Surface Mount Applications  
http://onsemi.com  
Designed for low voltage, low−power, high−gain audio amplifier  
applications.  
4.0 A, 100 V, 12.5 W  
Features  
POWER TRANSISTOR  
• Collector−Emitter Sustaining Voltage −  
V
= 100 Vdc (Min) @ I  
4
CEO(sus)  
C
= 10 mAdc  
4
• High DC Current Gain −  
h
= 40 (Min) @ I  
= 200 mAdc  
FE  
C
1
2
1
Base  
Collector  
2
3
3
Emitter  
= 15 (Min) @ I = 1.0 Adc  
C
DPAK−3  
CASE 369D  
STYLE 1  
DPAK−3  
CASE 369C  
STYLE 1  
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves  
(No Suffix)  
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suffix)  
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)  
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −  
MARKING DIAGRAMS  
V
CE(sat)  
= 0.3 Vdc (Max) @ I  
= 500 mAdc  
YWW  
J2x3  
YWW  
J2x3  
C
= 0.6 Vdc (Max) @ I = 1.0 Adc  
C
• High Current−Gain − Bandwidth Product −  
f = 40 MHz (Min) @ I  
Y
= Year  
WW = Work Week  
J2x3 = Device Code  
= 4 or 5  
T
C
= 100 mAdc  
• Annular Construction for Low Leakage −  
= 100 nAdc @ Rated V  
x
I
CBO  
CB  
• Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in.  
ORDERING INFORMATION  
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V  
Machine Model, C u 400 V  
†
Device  
Package  
DPAK−3  
DPAK−3  
Shipping  
MJD243  
75 Units/Rail  
• Pb−Free Package is Available  
MJD243T4  
2500/Tape & Reel  
2500/Tape & Reel  
MJD243T4G  
DPAK−3  
(Pb−Free)  
MJD253−1  
MJD253T4  
DPAK−3  
DPAK−3  
75 Units/Rail  
2500/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
March, 2004 − Rev. 8  
MJD243/D  
12345678

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MJD243T4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJD243T4G ONSEMI

完全替代

 Complementary Silicon Plastic Power Transistor
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MJD253T4 ONSEMI

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 		Complementary Silicon Plastic Power Transistor
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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,

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