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MJD210L-TN3-T

更新时间： 2024-09-13 07:15:23

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描述
PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

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MJD210L-TN3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.12
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	65 MHz
Base Number Matches：	1

MJD210L-TN3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

MJD210

PNP SILICON TRANSISTOR

PNP SILICON DPAK FOR

SURFACE MOUNT

APPLICATIONS

DESCRIPTION

TO-252

The UTC MJD210 is designed for low voltage, low-power,

high-gain audio amplifier applications.

FEATURE

*Collector-Emitter Sustaining Voltage

_CEO(SUS)=-25V (Min) @ I_C=-10mA

TO-251

*High DC Current Gain

h_FE=70 (Min) @ I_C=-500mA

=45 (Min) @ I_C=-2A

=10 (Min) @ I_C=-5A

*Lead Formed for Surface Mount Applications in

Plastic Sleeves (No Suffix)

*Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“-1” Suffix)

*Lead Formed Version in 16mm Tape and Reel

(“T4” Suffix)

*Low Collector – Emitter Saturation Voltage

V_CE(SAT)= -0.3V (Max) @ I_C=-500mA

= -0.75V (Max) @ I_C= -2.0 A

*High Current-Gain-Bandwidth Product

f_T= 65 MHz (Min) @ I_C= -100 mA

*Annular Construction for Low Leakage

_CBO= -100 nA @ Rated V_CB

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Packing

Package

Lead Free Plating

MJD210L-TM3-T

MJD210L-TN3-T

MJD210L-TN3-R

Halogen Free

MJD210G-TM3-T

MJD210G-TN3-T

MJD210G-TN3-R

TO-251

TO-252

Tube

Tape Reel

www.unisonic.com.tw

1 of 5

QW-R213-001.C

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