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MGS911

更新时间: 2024-02-20 22:19:50
品牌 Logo 应用领域
泰科 - TE 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 710K
描述
GaAs Schottky Diodes

MGS911 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:R-XQMW-F4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.33
配置:COMPLEX最大二极管电容:0.1 pF
二极管元件材料:GALLIUM ARSENIDE二极管类型:MIXER DIODE
最大正向电压 (VF):2.1 V频带:MILLIMETER WAVE BAND
JESD-30 代码:R-XQMW-F4元件数量:12
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.05 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.075 W
认证状态:Not Qualified子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:FLAT端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

MGS911 数据手册

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MGS8xx / MGS9xx Series  
GaAs Schottky Diodes  
Rev. V1  
Outlines  
3
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