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MGS911

更新时间： 2024-01-07 06:51:04

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泰科 - TE		二极管
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4页	710K
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GaAs Schottky Diodes

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MGS911 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-XQMW-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.33
配置：	COMPLEX	最大二极管电容：	0.1 pF
二极管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	二极管类型：	MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2.1 V	频带：	MILLIMETER WAVE BAND
JESD-30 代码：	R-XQMW-F4	元件数量：	12
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.05 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.075 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MGS911 数据手册

MGS8xx / MGS9xx Series

GaAs Schottky Diodes

Rev. V1

Absolute Maximum Ratings

Rating

Limits

Reverse Voltage

Forward Current

Rated Vbr

50 mA

DC Power Dissipation

75 mW per junction @ T_A= 25°C

Operating Temperature

Storage Temperature

-65°C to +150°

Soldering Temperature (packaged)

Minimum Beam Lead Pull Strength

+260°C for 5 seconds per JEDEC J-STD-20C

6 grams

Outlines

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