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MGSF1N02ELT1G

更新时间： 2024-11-25 19:54:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 70K
描述
750mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, LEAD FREE, CASE 318-08, 3 PIN

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MGSF1N02ELT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：LEAD FREE, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.15其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.75 A最大漏极电流 (ID)：0.75 A
最大漏源导通电阻：0.085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MGSF1N02ELT1G 数据手册

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MGSF1N02ELT1  
Preferred Device  
Power MOSFET  
750 mAmps, 20 Volts  
N–Channel SOT–23  
These miniature surface mount MOSFETs low R  
assure  
DS(on)  
minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal  
for use in space sensitive power management circuitry. Typical  
applications are dc–dc converters and power management in portable  
and battery–powered products such as computers, printers, PCMCIA  
cards, cellular and cordless telephones.  
http://onsemi.com  
750 mAMPS  
20 VOLTS  
• Low R  
DS(on)  
Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life  
R
= 85 mW  
DS(on)  
• Miniature SOT–23 Surface Mount Package Saves Board Space  
N–Channel  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Gate–to–Source Voltage – Continuous  
Drain Current  
Symbol  
V
Value  
20  
Unit  
Vdc  
Vdc  
mA  
DSS  
V
GS  
± 8.0  
1
– Continuous @ T = 25°C  
I
750  
2000  
A
D
– Pulsed Drain Current (t ≤ 10 µs)  
I
p
DM  
2
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
400  
mW  
A
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
– 55 to  
150  
°C  
J
stg  
MARKING  
DIAGRAM  
Thermal Resistance – Junction–to–Ambient  
R
300  
260  
°C/W  
°C  
θJA  
3
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10  
seconds  
T
L
SOT–23  
CASE 318  
STYLE 21  
NE  
W
1
2
W
= Work Week  
PIN ASSIGNMENT  
Drain  
3
1
Gate  
2
Source  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
MGSF1N02ELT1  
MGSF1N02ELT3  
SOT–23  
3000 Tape & Reel  
SOT–23 10,000 Tape & Reel  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
November, 2000 – Rev. 1  
MGSF1N02ELT1/D  
12345678

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