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MGS911

更新时间： 2024-02-02 09:52:19
品牌 Logo 应用领域
泰科 - TE 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 710K
描述
GaAs Schottky Diodes

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MGS911 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-XQMW-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.60风险等级：5.33
配置：COMPLEX最大二极管电容：0.1 pF
二极管元件材料：GALLIUM ARSENIDE二极管类型：MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.1 V频带：MILLIMETER WAVE BAND
JESD-30 代码：R-XQMW-F4元件数量：12
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.05 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.075 W
认证状态：Not Qualified子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MGS911 数据手册

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MGS8xx / MGS9xx Series  
GaAs Schottky Diodes  
Rev. V1  
Features  
14 Different Configurations  
Beam Lead, Flip Chip, or Packaged Devices  
Hi-Rel Screening per MIL-PRF-19500 and MIL-  
PRF-38534 Available  
Description  
The MGS series of GaAs Schottky diodes are  
designed for optimum performance in millimeter  
wave components operating to 60 GHz.  
Beam Lead  
Electrical Characteristics, TA = +25°C  
VF  
mV  
Δ VF  
mV  
VBR  
V
CJ  
pF  
Δ CJ  
pF  
RS  
Model  
Configuration  
Outline  
Min.  
Max.  
Max.  
Min.  
Max.  
Max.  
Max.  
MGS901  
MGS902  
MGS903  
MGS904  
MGS905  
MGS906  
MGS907  
Single Junction  
650  
650  
750  
750  
—
20  
20  
20  
20  
40  
40  
40  
40  
40  
60  
60  
60  
—
5
0.06  
0.10  
0.06  
0.06  
0.06  
0.04  
0.04  
0.06  
0.08  
0.04  
0.10  
0.10  
0.10  
0.03  
—
7
GB110  
GB210  
GB310  
B85  
Anti-parallel Pair  
5
—
7
Series Tee  
650  
750  
5
0.02  
0.02  
0.02  
0.02  
0.02  
0.02  
0.02  
0.02  
0.03  
0.03  
0.03  
—
7
4 Junction Ring-Quad  
4 Junction Bridge-Quad  
4 Junction Series-Tee  
8 Junction Ring-Quad  
650  
750  
5
7
650  
750  
5
7
B86  
1300  
1300  
1300  
1300  
1300  
1800  
1800  
1800  
2500  
1500  
1500  
1500  
1500  
1500  
2100  
2100  
2100  
2900  
IF = 1 mA  
10  
10  
10  
10  
10  
15  
15  
15  
20  
14  
14  
12  
10  
14  
21  
21  
21  
28  
B91  
B85  
MGS907A 8 Junction Ring-Quad  
MGS907B 8 Junction Ring-Quad  
B85  
B85  
MGS908  
MGS909  
MGS910  
MGS911  
MGS912  
8 Junction Quad  
6 Junction Series-Tee  
12 Junction Ring-Quad  
12 Junction Bridge-Quad  
Four Junction  
B86  
B90  
B87  
B88  
B89  
Test Conditions  
IR = 10 µA VR = 0 V, 1 MHz IF = 5 mA  
Flip Chip  
Electrical Characteristics, TA = +25°C  
VF  
mV  
Δ VF  
mV  
VBR  
V
CJ  
pF  
Δ CJ  
pF  
RS  
Model  
Configuration  
Outline  
Min.  
Max.  
Max.  
Min.  
Max.  
Max.  
Max.  
MGS801  
Single Junction  
650  
650  
650  
650  
650  
750  
750  
750  
750  
750  
—
—
20  
20  
20  
5
5
5
5
5
0.05  
0.075  
0.10  
0.15  
0.06  
—
—
7
5
7
5
7
GC110  
GC110  
GC210  
GC210  
GC310  
MGS801A Single Junction  
MGS802 Anti-parallel Pair  
MGS802A Anti-parallel Pair  
—
—
MGS803  
Series Tee  
0.02  
Test Conditions  
IF = 1 mA  
IR = 10 µA VR = 0 V, 1 MHz IF = 5 mA  
1
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1234

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