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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | MICROWAVE, R-CQMW-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.06 A | FET 技术： | HIGH ELECTRON MOBILITY |
| 最高频带： | K BAND | JESD-30 代码： | R-CQMW-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROWAVE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.05 W | 最小功率增益 (Gp)： | 4 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | QUAD |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF4714AP | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4714AP-65 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4714CP | MITSUBISHI |
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PLASTIC MOLD PACKAGED LOW NOISE InGaAs HEMT |
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| MGF4851A | MITSUBISHI |
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SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (Leadless Ceramic Package) |
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| MGF4910D | MITSUBISHI |
获取价格 |
TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT |
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| MGF4910E | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT |
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| MGF4914D | MITSUBISHI |
获取价格 |
TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT |
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| MGF4914D-65 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4914E | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT |
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| MGF4914E-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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