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MGF4914D-65

更新时间： 2024-11-20 19:41:59

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	298K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET

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MGF4914D-65 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.83	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	0.06 A	FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：	K BAND	JESD-30 代码：	O-CRDB-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	7.4 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

MGF4914D-65 数据手册

MGF431OD Series

L1~o- o ~ i -oqof-

SUPER LOW NOISE InOaAs HEMT

DESCRIPTION

The MGF431OD series super-low-noise HEMT (High

OUTLINE DRAWING Unit millimeters linchesl

Electron Mobility Transistor) is designed for use in X to

K band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic

package assures minimum parasitic losses, and has a

4MIN.

1.85±0.2

4MIN.

ISiM IN.)(0.073 ± 0.008) (0.1 S7MIN.)

configuration suitable for microstrip circuits.

FEATURES

• Low noise figure @f=12GHz

MGF4314D: NFmin.=1.OOdB (MAX)

MGF4316D: NFmin.=O.8OdB (MAX)

MGF4317D: NFmin.=O.7OdB (MAX)

MGF4318D: NFmin.=O.6OdB (MAX)

• High associated gain Gs=9.5dB(MIN) @f= 12GHz

APPLICATION

X to K band super-low-noise amplifiers.

QUALITY GRADE

• GG

p1.8±0.2

(0.071 ± 0.008)

C’..

o d

+14-I

in in

RECOMMENDED BIAS CONDITIONS

• Vos2V lo~lOmA

• Refer to Bias Procedure

~LFT1

•

in WC%J

—

0 0

+ I 0 0

®GATE

~Zl SOURCE

GD-4

~~RAtN

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta-25~)

Symbol

V000

Parameter

Gate to drain voltage

Gate to source voltage

Ratings

—4

Unit

V050

—4

Drain cunent

‘C

Total power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Tolt

Tstg

125

—65— + 125

‘C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25~

Symbol

Parameter

Test conditions

Umits

Typ

—

Unit

Max

V(BR)000 Gate to drain breakdown voltage lo~ — lOOpA

V(BR)0SO Gatetosourcebraaltdownvoltage 1a 100pA

—

loss

Gate to source leakage current

Vcs= —2V, vos~sov

—

toss

Saturated drain current

Gatato source cut-off voltage

Transconductance

v05=ov, Vos=2V

VOS~2V, lo~5O0pA

Vos=2V, Io=lOmA

1.5

—

VOS(on)

—0.1

Associated gain

9.5

11.5

—

MGF43140

—

0.80

1.00

NFmin

Minimumnoiseflgure

VDS=2V, lo=1OmA. t=12G1-lz

~Vf method

MGF43160

MGF43170

—

0.75

0.65

0.80

0.70

MGF43180

—

0.55

0.60

625

Rth (oh-a) Thermal Resistance

* 1: Channel to ambient

—

C/W

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MGF4914E	MITSUBISHI	获取价格	SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT
MGF4914E-01	MITSUBISHI	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
MGF4914E-65	MITSUBISHI	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
MGF4916	MITSUBISHI	获取价格	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT
MGF4916D	MITSUBISHI	获取价格	TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT
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