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MGF4918E

更新时间: 2024-11-07 04:16:03
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三菱 - MITSUBISHI 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 198K
描述
SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT

MGF4918E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.82
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.06 A最大漏极电流 (ID):0.06 A
FET 技术:HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带:K BAND
JESD-30 代码:O-CRDB-F4元件数量:1
端子数量:4工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:125 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:0.05 W
最小功率增益 (Gp):9.5 dB认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

MGF4918E 数据手册

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