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三菱 - MITSUBISHI | 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
4页 | 198K | |
描述 | ||
SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.82 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOW NOISE |
外壳连接: | SOURCE | 配置: | SINGLE |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.06 A | 最大漏极电流 (ID): | 0.06 A |
FET 技术: | HIGH ELECTRON MOBILITY | 最高频带: | K BAND |
JESD-30 代码: | O-CRDB-F4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 125 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | DISK BUTTON |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 0.05 W |
最小功率增益 (Gp): | 9.5 dB | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | RADIAL |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | GALLIUM ARSENIDE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MGF4918E-01 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H | |
MGF4919E | MITSUBISHI |
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SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT | |
MGF4919F | MITSUBISHI |
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Transistor | |
MGF4919F-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H | |
MGF4919G | MITSUBISHI |
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SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT | |
MGF491XG | MITSUBISHI |
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SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT | |
MGF4921AM | MITSUBISHI |
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4pin flat lead package | |
MGF4931AM | MITSUBISHI |
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SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (4pin flat lead package) | |
MGF4934AM | MITSUBISHI |
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SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (4pin flat lead package) | |
MGF4934AM/BM | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, P-Channel, |