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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 4页 | 198K |  |
| 描述 | ||
| SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.06 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.06 A |
| FET 技术： | HIGH ELECTRON MOBILITY | 最高频带： | K BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.05 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 9.5 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF4914E-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4914E-65 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4916 | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
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| MGF4916D | MITSUBISHI |
获取价格 |
TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT |
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| MGF4916D-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4916F | MITSUBISHI |
获取价格 |
Transistor |
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| MGF4916F-65 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4916G | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
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| MGF4917D | MITSUBISHI |
获取价格 |
TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT |
|
| MGF4917D-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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