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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.61 | Is Samacsys： | N |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.06 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最高工作温度： | 125 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.05 W | 子类别： | Other Transistors |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF4916D-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4916F | MITSUBISHI |
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Transistor |
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| MGF4916F-65 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4916G | MITSUBISHI |
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SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
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| MGF4917D | MITSUBISHI |
获取价格 |
TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT |
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| MGF4917D-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF49180 | MITSUBISHI |
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TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT |
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| MGF4918D | MITSUBISHI |
获取价格 |
Transistor, |
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| MGF4918D-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4918E | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT |
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