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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 10页 | 654K |  |
| 描述 | ||
| Transistor | ||
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.61 | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.06 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高工作温度： | 125 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.05 W |
| 子类别： | Other Transistors | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF4916F-65 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4916G | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
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| MGF4917D | MITSUBISHI |
获取价格 |
TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT |
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| MGF4917D-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF49180 | MITSUBISHI |
获取价格 |
TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT |
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| MGF4918D | MITSUBISHI |
获取价格 |
Transistor, |
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| MGF4918D-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4918E | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT |
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| MGF4918E-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4919E | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT |
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