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MGF4918E-01

更新时间: 2024-11-24 19:41:59
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 298K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET

MGF4918E-01 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.82其他特性:LOW NOISE
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最大漏极电流 (ID):0.06 AFET 技术:HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带:K BANDJESD-30 代码:O-CRDB-F4
元件数量:1端子数量:4
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:125 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON极性/信道类型:N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp):7.4 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

MGF4918E-01 数据手册

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