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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 124K |  |
| 描述 | ||
| SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-XQSO-F4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.06 A | FET 技术： | HIGH ELECTRON MOBILITY |
| 最高频带： | KU BAND | JESD-30 代码： | S-XQSO-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.05 W | 最小功率增益 (Gp)： | 12 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET RF Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | QUAD | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF4941AL_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Micro-X type plastic package |
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| MGF4941CL | MITSUBISHI |
获取价格 |
Micro-X type plastic package |
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| MGF4951 | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
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| MGF4951A | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
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| MGF4951A_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
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| MGF4952A | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
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| MGF4953A | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (Leadless Ceramic Package) |
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| MGF4953A_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Low Noise GaAs HEMT |
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| MGF4953B | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT Leadless Ceramic Package |
|
| MGF4953B_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Low Noise GaAs HEMT |
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