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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> MGF4964BL
MGF4964BL PDF预览

MGF4964BL

更新时间： 2024-09-17 11:59:07
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
5页 229K
描述
Low Noise GaAs HEMT

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MGF4964BL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：MICROWAVE, S-PQMW-F4针数：4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.75Is Samacsys：N
配置：SINGLE最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.06 A
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：K BAND
JESD-30 代码：S-PQMW-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
功耗环境最大值：0.05 W最小功率增益 (Gp)：11.5 dB
子类别：FET RF Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

MGF4964BL 数据手册

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< Low Noise GaAs HEMT >  
MGF4964BL  
Micro-X type plastic package  
DESCRIPTION  
The MGF4964BL super-low noise InGaAs HEMT (High Electron Mobility  
Transistor) is designed for use in K band amplifiers.  
Outline Drawing  
FEATURES  
Low noise figure  
@ f=20GHz  
NFmin. = 0.65dB (Typ.)  
High associated gain  
Gs = 13.5dB (Typ.)  
@ f=20GHz  
Fig.1  
APPLICATION  
C to K band low noise amplifiers  
MITSUBISHI Proprietary  
Not to be reproduced or disclosed without  
permission by Mitsubishi Electric  
QUALITY GRADE  
GG  
RECOMMENDED BIAS CONDITIONS  
VDS=2V, ID=10mA  
ORDERRING INFORMATION  
Tape & reel 4000pcs./reel  
RoHS COMPLIANT  
MGF4964BL is a RoHS compliant product. RoHS compliance is indicated by the letter “G” after the Lot Marking.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(Ta=25C )  
Symbol  
Parameter  
Gate to drain voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
Ratings  
Unit  
V
V
GDO  
GSO  
-3  
-3  
V
V
I
D
IDSS  
50  
mA  
mW  
C  
C  
PT  
Total power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
T
ch  
125  
T
stg  
-55 to +125  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Ta=25C )  
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
Limits  
TYP.  
--  
Unit  
MIN.  
-3  
MAX  
--  
V(BR)GDO  
IGSS  
I =-10A  
Gate to drain breakdown voltage  
Gate to source leakage current  
Saturated drain current  
G
V
A  
mA  
V
V
=-2V,V =0V  
DS  
GS  
GS  
DS  
DS  
--  
--  
50  
IDSS  
V
V
V
=0V,V =2V  
DS  
15  
--  
60  
VGS(off)  
Gs  
=2V,I =500A  
Gate to source cut-off voltage  
Associated gain  
D
-0.1  
11.5  
--  
--  
-1.5  
--  
=2V,  
13.5  
0.65  
dB  
dB  
I =10mA,f=20GHz  
NFmin. Minimum noise figure  
D
0.90  
Note: Gs and NFmin. are tested with sampling inspection.  
Publication Date : Apr., 2011  
1
12345

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