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MGF7167C

更新时间: 2024-11-24 19:47:55
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三菱 - MITSUBISHI 高功率电源射频微波
页数 文件大小 规格书
1页 174K
描述
Narrow Band High Power Amplifier, 1850MHz Min, 1910MHz Max, GAAS,

MGF7167C 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOLCC8,.2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91Is Samacsys:N
构造:COMPONENT最大输入功率 (CW):15 dBm
JESD-609代码:e0安装特点:SURFACE MOUNT
端子数量:8最大工作频率:1910 MHz
最小工作频率:1850 MHz最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-30 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:SOLCC8,.2电源:3.4 V
射频/微波设备类型:NARROW BAND HIGH POWER子类别:RF/Microwave Amplifiers
表面贴装:YES技术:GAAS
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)最大电压驻波比:3
Base Number Matches:1

MGF7167C 数据手册

  

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