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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 331K |  |
| 描述 | ||
| RF/Microwave Amplifier, GAAS | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FL6,.4FL | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | JESD-609代码： | e0 |
| 安装特点： | SURFACE MOUNT | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装等效代码： | FL6,.4FL |
| 电源： | 5 V | 子类别： | RF/Microwave Amplifiers |
| 最大压摆率： | 260 mA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | GAAS | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF7201A | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF/Microwave Amplifier, GAAS |
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| MGF7201A-01 | MITSUBISHI |
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Narrow Band Low Power Amplifier, 14000MHz Min, 14500MHz Max, |
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| MGFC0904-03 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC0905-03 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC1402-T01 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGFC1402-T02 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGFC1402-T03 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGFC1403 | MITSUBISHI |
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FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS,N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE |
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| MGFC1403-A03 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MGFC1403-A13 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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