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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.40 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (ID)： | 0.08 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 8 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFC1423-T03 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MGFC1425-T03 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MGFC1801 | MITSUBISHI |
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FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS,N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE |
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| MGFC1801-A02 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC1801-A11 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC1801-A12 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC1801-T02 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC1801-T03 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC2407-T02 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC2407-T03 | MITSUBISHI |
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暂无描述 |
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