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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 4页 | 114K |  |
| 描述 | ||
| RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-12 | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFC36V3436 | MITSUBISHI |
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3.4 - 3.6GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC36V3436_04 | MITSUBISHI |
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3.4 ~ 3.6GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC36V3436_11 | MITSUBISHI |
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C band internally matched power GaAs FET |
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| MGFC36V3436-51 | MITSUBISHI |
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Transistor |
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| MGFC36V3742A | MITSUBISHI |
获取价格 |
3.7 - 4.2GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC36V3742A_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
3.7 ~ 4.2GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC36V3742A_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
C band internally matched power GaAs FET |
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| MGFC36V3742A-51 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC36V4450 | MITSUBISHI |
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Transistor, |
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| MGFC36V4450-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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