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MGFC1801-A12

更新时间: 2024-09-18 03:40:59
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 273K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-13

MGFC1801-A12 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIE
包装说明:UNCASED CHIP, R-XUUC-N13针数:13
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.40风险等级:5.84
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:6 V
最大漏极电流 (ID):0.1 AFET 技术:JUNCTION
最高频带:X BANDJESD-30 代码:R-XUUC-N13
元件数量:1端子数量:13
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:UNCASED CHIP
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE

MGFC1801-A12 数据手册

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