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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 2页 | 67K |  |
| 描述 | ||
| RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-8, 2 PIN | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFC36V5964-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC36V5964A | MITSUBISHI |
获取价格 |
5.9 - 6.4GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC36V5964A_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
5.9 - 6.4GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC36V5964A_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
C band internally matched power GaAs FET |
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| MGFC36V5964A-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC36V6471 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Transistor, |
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| MGFC36V6472A | MITSUBISHI |
获取价格 |
6.4 - 7.2GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC36V6472A_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
6.4 ~ 7.2GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC36V6472A_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
C band internally matched power GaAs FET |
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| MGFC36V6472A-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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