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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 596K |  |
| 描述 | ||
| Transistor, | ||
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.59 |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.8 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 25 W | 子类别： | Other Transistors |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFC36V6472A | MITSUBISHI |
获取价格 |
6.4 - 7.2GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC36V6472A_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
6.4 ~ 7.2GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC36V6472A_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
C band internally matched power GaAs FET |
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| MGFC36V6472A-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC36V6472A-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC36V7177A | MITSUBISHI |
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7.1 - 7.7GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC36V7177A_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
7.1 ~ 7.7GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC36V7177A_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
C band internally matched power GaAs FET |
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| MGFC36V7177A-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC36V7785A | MITSUBISHI |
获取价格 |
7.7 - 8.5GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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