5秒后页面跳转
MGFC38V5964-51 PDF预览

MGFC38V5964-51

更新时间: 2024-09-17 19:23:47
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET

MGFC38V5964-51 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最大漏极电流 (ID):5 AFET 技术:JUNCTION
最高频带:C BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

MGFC38V5964-51 数据手册

 浏览型号MGFC38V5964-51的Datasheet PDF文件第2页 

与MGFC38V5964-51相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MGFC38V6472 MITSUBISHI

获取价格

6.4 - 7.2GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFC38V6472_11 MITSUBISHI

获取价格

C band internally matched power GaAs FET
MGFC38V6472_97 MITSUBISHI

获取价格

6.4 - 7.2GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFC39V3436 MITSUBISHI

获取价格

3.4 - 3.6GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFC39V3436_04 MITSUBISHI

获取价格

3.4 ~ 3.6GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFC39V3436_11 MITSUBISHI

获取价格

C band internally matched power GaAs FET
MGFC39V3436-51 MITSUBISHI

获取价格

Transistor
MGFC39V3742A MITSUBISHI

获取价格

3.7 - 4.2GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFC39V3742A_04 MITSUBISHI

获取价格

3.7 ~ 4.2GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFC39V3742A_11 MITSUBISHI

获取价格

C band internally matched power GaAs FET