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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFC38V5867 | MITSUBISHI |
获取价格 |
5.8~6.75 GHZ BAND 6W INTERNALLY MATCHED GAASFET |
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| MGFC38V5867_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
C band internally matched power GaAs FET |
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| MGFC38V5964 | MITSUBISHI |
获取价格 |
5.9 - 6.4GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC38V5964_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
C band internally matched power GaAs FET |
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| MGFC38V5964_97 | MITSUBISHI |
获取价格 |
5.9 - 6.4GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
|
| MGFC38V5964-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
|
| MGFC38V6472 | MITSUBISHI |
获取价格 |
6.4 - 7.2GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC38V6472_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
C band internally matched power GaAs FET |
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| MGFC38V6472_97 | MITSUBISHI |
获取价格 |
6.4 - 7.2GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC39V3436 | MITSUBISHI |
获取价格 |
3.4 - 3.6GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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