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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 251K |  |
| 描述 | ||
| 5.9 - 6.4GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFC38V5964-51 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC38V6472 | MITSUBISHI |
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6.4 - 7.2GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC38V6472_11 | MITSUBISHI |
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C band internally matched power GaAs FET |
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| MGFC38V6472_97 | MITSUBISHI |
获取价格 |
6.4 - 7.2GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC39V3436 | MITSUBISHI |
获取价格 |
3.4 - 3.6GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC39V3436_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
3.4 ~ 3.6GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC39V3436_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
C band internally matched power GaAs FET |
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| MGFC39V3436-51 | MITSUBISHI |
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Transistor |
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| MGFC39V3742A | MITSUBISHI |
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3.7 - 4.2GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC39V3742A_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
3.7 ~ 4.2GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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